características memoria

Hola

Tengo un pentium 4 a 1,6 GHz. El everest me dice que la placa base es una IBM 682313G. Me venía con un módulo de 128MB de RAM (Hyundai 71V16635AT8-K) y otro de 256MB (Kingston KVR133x64C2/256).
Hace tiempo me compré un módulo de 512MB (Kingston 64MX64PC133CL3168) para ampliar la memória. En su momento tuve la sensación que me íba un poco más lento en lugar de irme más rápido... Y ahora me he instalado el everest 2.20 para comparar las características de la memoria nueva con las que ya venían con el ordenador, y he encontrado algunas diferencias que no sé si podrían causar que la memoria funcionase más lenta y que esto se notase en el uso normal del pc (como normalmente no necesito mucho espacio de memoria, supongo que es posible que me vaya mejor con menos memoria más rápida, que con más memoria más lenta, aunque por otra parte también utilizo alguna vez programas como pinnacle, que requieren bastante epacio...).

El everest me muestra diferencias entre las tasas de actualización/refresco y los tiempos de memoria (marcados en negrita):

[ DIMM1: Hyundai 71V16635AT8-K ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Hyundai 71V16635AT8-K
Número de serie 0409810Fh
Fecha de fabricación Semana 1 / 2049
Tamaño del módulo 128 MB (1 rank, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad de memoria PC133 (133 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltage del módulo LVTTL
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Normal (15.625 us), Self-Refresh

Tiempos de Memoria:
@ 133 MHz 3.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Funciones del módulo de memoria:
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge Soportado
Precharge All Soportado
Write1/Read Burst Soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input No soportado
Redundant Row Address No soportado

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Hynix Semiconductor Inc.
Información sobre el producto http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp

[ DIMM2: Kingston KVR133x64C2/256 ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Kingston KVR133x64C2/256
Número de serie 371B6F04h
Fecha de fabricación Semana 47 / 2001
Tamaño del módulo 256 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad de memoria PC133 (133 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltage del módulo LVTTL
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Normal (15.625 us), Self-Refresh

Tiempos de Memoria:
@ 133 MHz 3.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Funciones del módulo de memoria:
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge Soportado
Precharge All Soportado
Write1/Read Burst Soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input No soportado
Redundant Row Address No soportado

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Kingston Technology Company, Inc.
Información sobre el producto http://www.kingston.com/products/default.asp

[ DIMM3: Kingston 64MX64PC133CL3168 ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo Kingston 64MX64PC133CL3168
Número de serie 012C9337h
Fecha de fabricación Semana 29 / 2006
Tamaño del módulo 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Tipo de módulo Unbuffered
Tipo de memoria SDRAM
Velocidad de memoria PC133 (133 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltage del módulo LVTTL
Método de detección de errores Ninguno
Tasa de actualización/refresco Reducido (7.8 us), Self-Refresh

Tiempos de Memoria:
@ 133 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)

Funciones del módulo de memoria:
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge Soportado
Precharge All Soportado
Write1/Read Burst Soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input No soportado
Redundant Row Address No soportado

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa Kingston Technology Company, Inc.
Información sobre el producto http://www.kingston.com/products/default.asp



Al ver los resultados me salen un montón de preguntas que agradecería que alguien intantara aclarar:
Por qué hay dos filas en el campo "Tiempos de Memoria"? Qué significa cada una?
Es mejor una tasa de actualización alta o una baja?
Si los dos módulos pequeños son más rápidos, aunque lo sean, van a funcionar a la velocidad del más lento (el de 512) o cada uno va a funcionar a su velocidad? Si quito los 2 pequeños y pongo otro de 512MB para llegar a 1 GB, me va a ir más lento?
Algun otro comentario o recomendación?

Saludos y muchas gracias!

Y felices fiestas!