Tema: Timmings de la Memoria

Hola mirar he visto en Media-vida una guia de optimización y en la parte de la memoria, me pone esto:

CAS Latency Time: (Column Address Strobe) Este parametro controla el retardo en ciclos de reloj que discurre antes de que la RAM comienze un comando de lectura despues de recibirlo. Asi que cuanto mas baja sea la latencia, mas rapidos ocurriran los comandos de lectura. Valores: CL3, CL2,5 CL2
Probad CL2 si teneis problemas optad por 2,5 y sucesivo.

RAS Precharge Time: Este parametro fija el numero de ciclos requeridos por el RAS (Row Adress Strobe) para acumular datos antes que la RAM inicie un comando de refresco.
RPT: 2-3. Logicamente cuanto menos ciclos sean requeridos mayor rendimiento tendremos. Usar 2, si hay problemas usad el 3.

RAS-to-CAS Delay: Este parametro nos permite insertar un retardo entre la RAS(Row Address Strobe) y la CAS (Column Address Strobe). Este retardo ocurre entre un comando de lectura, uno de escritura o uno de refresco. Asi q reduciendo estos valores aumenta el rendimiento de la memoria.
RTC:2-3; Si experimentais problemas a por el 3, si podeis a por el 2.

Sabeis si tiene razón, que si vas bajandole a cada opción irá mejor?

saludos.

Así es, pero no tan sencillo. La memoria a más Mhz, menos puedes bajarle la latencia. Hay que buscar el copromiso ideal entre Mhz / Latencias /Voltaje.
Para conseguirlo, puedes hacer test de rendimiento como el del Everest Ultimate por ejemplo, y contrastar ahí los resultados de una y otra configuración.