<center><table width="100%" border="0" cellpadding="10"><tr><td width="250"></td><td><p align="justify">ISi ha anunciado que ha licenciado su tecnología Z-RAM a Hynux Semiconductor, lo que significa que podremos tener memorias RAM más rápidas gracias a esta tecnología a partir del 2010, según ha hecho público la empresa. Ambas empresas trabajaran juntos en este proyecto en los próximos dos años, para desarrollar este tipo de memoria y hacerlas compatibles con los zócalos actuales.



La empresa ha anunciado que tendrán los primeros prototipos listos de este tipo de memoria para el año que viene. Estas memorias prometen hasta cinco veces más veloces que las actuales con un menor consumo de energía. Otra ventaja es su fabricación, menos compleja que la tradicional, siendo posible de esta manera producir más cantidad de unidades en menos tiempo.


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