<center><table width="100%" border="0" cellpadding="10"><tr><td width="250"></td><td><p align="justify">Intel ha fabricado obleas de memorias de cambio de estado, conocidas como PCM o PRAM, de 90 nanómetros, las cuales están siendo ya probadas. Este tipo de memoria permite, según Intel, llegar hasta 100.000.000 de escrituras, contra las 10.000 de las memorias Flash actuales, y logrará también reducir tamaños y costes y aumentar la velocidad de las mismas.



Utiliza el mismo sustrato que los CDs o DVDs regrabables, un cristal que puede pasar a forma cristalina a amórfica de forma controlada, con lo que se logra el sistema binario necesario para hacer que almacene datos. Aunque actualmente las PRAM de 90 nanómetros de Intel utilizan la misma energía que una memoria Flash estándar, se espera que esto se reduzca en el futuro. En cambio, los datos almacenados con estas memorias pueden aguantar en perfecto estado hasta 10 años con temperaturas ambiente de 85º C. IBM ha realizado investigaciones con estas memorias consiguiendo, con la mitad de energía, velocidades 500 veces superiores a las de las memorias Flash. Se espera que en 2008 entren en el mercado

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