Tema: Texas Instruments tras los 45nm

15/06/2006, 03:36

</a>
</td><td>
<p align="justify">
Texas Instruments anunció haber conseguido grabar un primer módulo de memoria SRAM en 45 nm. Este módulo mide 0,24 µm², es decir, que su superficie equivale a un poco mas de la mitad que si se grababa en 65 nm.

Sin embargo el método innovador utilizado por Texas Instruments, la litografía sumergida o húmeda, autoriza una miniaturización aún más avanzada de los circuitos. En esta técnica, se introduce una fina lámina de líquido entre la lentilla del láser y la oblea de silicio, lo que permite controlar mejor el rayo luminoso.

Haz click en la imagen para leer el artículo en M@tbe.
</td></tr></table>

15/06/2006, 09:50

La noticia seria esta:

Texas Instruments anunció haber conseguido grabar un primer módulo de memoria SRAM en 45 nm. Este módulo mide 0,24 µm², es decir, que su superficie equivale a un poco mas de la mitad que si se grababa en 65 nm. Ellos no son los únicos con interés en el grabado 45 nm, Intel, también estaría sobre las filas.

Sin embargo el método innovador utilizado por Texas Instruments, la litografía sumergida o húmeda, autoriza una miniaturización aún más avanzada de los circuitos. En esta técnica, se introduce una fina lámina de líquido entre la lentilla del láser y la galleta de silicio, lo que permite controlar mejor el rayo luminoso.

Texas Instruments pretende así que su célula de memoria sea un 30% más pequeña que la de Intel (0,24 µm² en lugar de 0,346 µm²). Gracias a eso, prevé una mejora del 40% del consumo aumentando al mismo tiempo un 30% la potencia de sus chips. Al asociar esta finura de grabado a wafers de 300 mm., podrán duplicar la cantidad de chips producidos por wafer con relación a sus técnicas actuales. Los primeros ejemplares, saldrán de la fábrica de Dallas sobre el 2008.

Por motivos de espacio se ha suprimido un párrafo, el que en mi opinion, es el mas importante ^^

Saludos