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<a href="http://www.hard-h2o.com/hardh2o-extlinks.php?url=http://www.matbe.com/actualites/13572/texas-instruments-grave-en-45-nm/" target="_blank">
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Texas Instruments anunció haber conseguido grabar un primer módulo de memoria SRAM en 45 nm. Este módulo mide 0,24 µm², es decir, que su superficie equivale a un poco mas de la mitad que si se grababa en 65 nm.


Sin embargo el método innovador utilizado por Texas Instruments, la litografía sumergida o húmeda, autoriza una miniaturización aún más avanzada de los circuitos. En esta técnica, se introduce una fina lámina de líquido entre la lentilla del láser y la oblea de silicio, lo que permite controlar mejor el rayo luminoso.





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